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IXFN26N100P
40
35
Fig. 7. Input Admittance
50
45
Fig. 8. Transconductance
40
30
35
25
20
15
T J = 125oC
25oC
- 40oC
30
25
20
T J = - 40oC
25oC
125oC
15
10
10
5
0
5
0
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
80
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
70
60
50
40
14
12
10
8
V DS = 500V
I D = 13A
I G = 10mA
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
40
80
120
160
200
240
280
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
f = 1 MHz
Ciss
10,000
0.100
1,000
Coss
0.010
100
Crss
10
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_26N100P(86)3-28-08-B
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